（主流傳媒國際中心／綜合報導）隨著電動車與人工智慧資料中心快速擴張，高電壓、高效率功率半導體的需求持續升溫。韓國8英吋晶圓代工廠SK keyfoundry宣布，正式推出第四代200V高壓0.18微米BCD製程，並已與多家國內外客戶啟動產品開發，目標在年內進入量產階段。
汽車電氣架構正逐步由12V轉向48V系統，AI伺服器與資料中心的供電架構，也開始從380V直流電提升至800V直流電，推動市場對可承受100V以上電壓的功率製程需求明顯增加。
儘管先進製程持續向12吋晶圓集中，但在功率半導體領域，8吋產線仍扮演關鍵角色，相較於追求極小線寬的邏輯晶片，功率元件更重視耐壓能力、導通電阻、熱穩定性與長期可靠度，製程節點並非越小越好。
產業界也指出，高電壓功率元件對晶圓厚度、缺陷密度與製程一致性的要求高，轉進12吋線不僅投資成本大，重新驗證時間也長，反而削弱供應彈性，因此，在車用電子與資料中心電源需求持續成長的背景下，8吋功率製程仍被視為具備長期價值的產能。
此外，車用與工業級功率晶片的產品生命週期往往長達10年以上，客戶更在意製程成熟度與供應穩定性，8吋產線經過多年量產驗證，具備良率高、成本可控、可靠性資料完整等優勢，特別適合高壓BCD、功率MOSFET與電源管理晶片等應用。
BCD製程結合雙極、CMOS與DMOS元件，長期被視為車用與工業電源管理晶片的重要技術基礎。SK keyfoundry指出，新一代200V製程相較前一代，在比導通電阻與擊穿電壓等關鍵指標上均有超過20%的改善，有助於提升功率效率與高溫環境下的穩定性。
該製程也針對不同工作電壓優化元件設計，以降低晶片面積與功率損耗，並提供多層厚金屬間介電層選項，使高壓電源管理晶片在進行數位訊號傳輸時，能有效隔離高壓與雜訊干擾。
在系統整合方面，該製程支援多種嵌入式記憶體配置，包括SRAM、ROM、MTP與OTP，同時可整合霍爾感測元件，擴展其在精密馬達控制與電源管理應用中的設計彈性。
應用層面上，該製程可用於高壓電源管理與轉換晶片、馬達驅動器、LED驅動器及閘極驅動器等產品，並已符合汽車電子嚴格的AEC-Q100 Grade 0可靠性標準，可應用於高溫、高負載等極端工作環境。
產業人士指出，能夠提供200V等級BCD製程的晶圓代工廠數量有限，隨著車用電子與AI基礎設施對功率密度與效率要求提高，高電壓BCD製程將成為8英吋產線中少數仍具成長動能的技術領域之一。
SK keyfoundry表示，未來將持續依據功率半導體市場需求，推進高電壓BCD製程的演進，以因應車用與資料中心應用，對可靠性與效率的雙重要求。
